درخواست های ارتباط
جستجو تنظیمات
لیست دوستان من
صندوق پیام
همه را دیدم تنظیمات
  • در حال دریافت لیست پیام ها
صندوق پیام
  • در حال دریافت لیست رویدادها
همه رویدادهای من

تکنولوژی FinFET و رکورد 100 میلیون ترانزیستور در هر میلی مترمربع برای اینتل

1 نظرات
همان طور که می دانید طبق پیش بینی قانون مور میزان تراکم تعداد ترانزیستور ها در هر میلی مترمربع در هر دو سال دو برابر خواهد شد بر همین اساس شرکت اینتل اعلام کرد که توانسته رکورد جدیدی در این زمینه ثبت کرده و حتی قانون مور را نیز به نوعی با این تکنولوژی جدید دست خوش تغییر کرده است تا جایی که توانسته اند تعداد100 میلیون ترانزیستور را در هر میلی متر مکعب جای دهند وبر این اساس این بار نه تنها 2برابر بلکه اینتل توانسته این میزان را به 2.5 برابر افزایش دهد که به نوعی خود قانون مور را تغییر میدهد .چرا که همانطور که در نمودار زیر مشاهده میکنید تعداد ترانزیستور های قرار داده شده در پردازنده های 22 نانومتری 15.3 میلیون و سپس در پردازنده های 14 نانومتری 37.5 میلیون ترانزیستور میباشد ولی با تکنولوژی جدید این بار در پردازنده های 10 نانومتری اینتل موفق شده است 100 میلیون ترانزیستور را در هر میلی مترمکعب جای دهد که این میزان نیم درصد بیشتر از میزانی است که قانون مور پیش بینی نموده است و به خودی خود موفقیت بزرگی برای این شرکت و صنعت پردازنده محسوب میشود

Image


روشی که اینتل برای جای دادن این تعداد از ترانزیستور را در هر میلی متر مکعب استفاده کرده است به جای تاکید بر کوچک کردن حجم استفاده از ترانزیستور های سه بعدی بوده است که FinFET نامیده میشود که در این روش ترانزیستور به گونه ای طراحی میشود که گیت های متفاوت بر روی ترانزیستور واحد و در زمان واحد بتوانند مورد استفاده قرار بگیرند .در تصویر زیر به وضوح میتوانید تفاوت بین تکنولوژی MOFSET مسطح و FinFٍET سه بعدی را مشاهده نمایید.
Image


با این حال که هر روز شرکت ها رقابت تنگاتنگی را برای افزایش میزان ترانزیستورها با همدیگر سپری میکنند International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) سازمان راهبردی فناوری برای نیمه رسانا ها اعلام کرده که سال 2025 پایانی بر عمر پردازنده های سیلیکونی خواهد بود و دیگر امکان افزایش میزان ترانزیستور ها بر روی پردازنده ها نخواهد بود ولی باز با این حال و با تکنولوژی جدید اینتل که بسیاری از معادلات را به هم زده است معلوم نیست که باز تا سال 2025 روش و تکنولوژی جدیدی کشف و این موضوع را نیز دست خوش تغییر نماید .در مقاله ای دیگر به تفصیل به تکنولوژی FinFET و تولید پردازنده های سه بعدی خواهیم پرداخت .

نویسنده : علی قلعه بان - دانشجوی دکتری فناوری اطلاعات

برچسب ها
ردیف عنوان قیمت
1 بررسی تخصصی پردازنده های Core-i3,5,7 اینتل و راهنمای خرید رایگان
2 آیا واقعا امواج وای فای برای ما مضر است + داستان کاکتوس گذاشتن کنار روتر رایگان
3 بررسی فنی وتخصصی مضرات امواج موبایل بر بدن انسان + پشت پرده قوانین FCC رایگان
4 استخراج جزئی ترین اطلاعات و سریال های سخت افزاری سیستم توسط ابزار کاربردی WMIC رایگان
5 تکنولوژی FinFET و رکورد 100 میلیون ترانزیستور در هر میلی مترمربع برای اینتل رایگان
6 فعال کردن و ورود به محیط Safe Mode از داخل ویندوز بدون استفاده از F8 رایگان
7 تشریح سخت افزاری سیم کارت ,نحوه کار ,استخراج و کپی اطلاعات و نحوه Cloning آن رایگان
8 تزریق هلیوم در داخل هارد دیسک و افزایش ظرفیت هارد دیسک رایگان
9 کدگذاری کامل هارد دیسک با ماژول امنیتی سخت افزاری Trusted Platform Module )TPM) + حفظ اطلاعات حتی درصورت کپی و یا سرقت فیزیکی هارد دیسک رایگان
10 تفاوت ساختاری و عملی SRAM و DRAM رایگان
11 آشنایی با تکنولوژی BPL و EOP برای انتقال اطلاعات از طریق خطوط برق رایگان
مطالب مرتبط
نظرات

برای ارسال نظر ابتدا به سایت وارد شوید

arrow