نکته :: تکنولوژی FinFET و رکورد 100 میلیون ترانزیستور در هر میلی مترمربع برای اینتل
درخواست های ارتباط
جستجو
    لیست دوستان من
    صندوق پیام
    همه را دیدم
    • در حال دریافت لیست پیام ها
    صندوق پیام
    رویدادها
    همه را دیدم
    • در حال دریافت لیست رویدادها
    همه رویدادهای من
    تخفیف های وب سایت
    همه تخفیف ها

    عضویت در

    کانال تلگرام

    توسینسو

    اطلاعات مطلب
      مدرس/نویسنده
      Alighalehban
      امتیاز: 11501
      رتبه:53
      0
      107
      33
      458

      تکنولوژی FinFET و رکورد 100 میلیون ترانزیستور در هر میلی مترمربع برای اینتل

      تاریخ 22 ماه قبل
      نظرات 1
      بازدیدها 255
      همان طور که می دانید طبق پیش بینی قانون مور میزان تراکم تعداد ترانزیستور ها در هر میلی مترمربع در هر دو سال دو برابر خواهد شد بر همین اساس شرکت اینتل اعلام کرد که توانسته رکورد جدیدی در این زمینه ثبت کرده و حتی قانون مور را نیز به نوعی با این تکنولوژی جدید دست خوش تغییر کرده است تا جایی که توانسته اند تعداد100 میلیون ترانزیستور را در هر میلی متر مکعب جای دهند وبر این اساس این بار نه تنها 2برابر بلکه اینتل توانسته این میزان را به 2.5 برابر افزایش دهد که به نوعی خود قانون مور را تغییر میدهد .چرا که همانطور که در نمودار زیر مشاهده میکنید تعداد ترانزیستور های قرار داده شده در پردازنده های 22 نانومتری 15.3 میلیون و سپس در پردازنده های 14 نانومتری 37.5 میلیون ترانزیستور میباشد ولی با تکنولوژی جدید این بار در پردازنده های 10 نانومتری اینتل موفق شده است 100 میلیون ترانزیستور را در هر میلی مترمکعب جای دهد که این میزان نیم درصد بیشتر از میزانی است که قانون مور پیش بینی نموده است و به خودی خود موفقیت بزرگی برای این شرکت و صنعت پردازنده محسوب میشود

      تکنولوژی FinFET و رکورد 100 میلیون ترانزیستور در هر میلی مترمربع برای اینتل


      روشی که اینتل برای جای دادن این تعداد از ترانزیستور را در هر میلی متر مکعب استفاده کرده است به جای تاکید بر کوچک کردن حجم استفاده از ترانزیستور های سه بعدی بوده است که FinFET نامیده میشود که در این روش ترانزیستور به گونه ای طراحی میشود که گیت های متفاوت بر روی ترانزیستور واحد و در زمان واحد بتوانند مورد استفاده قرار بگیرند .در تصویر زیر به وضوح میتوانید تفاوت بین تکنولوژی MOFSET مسطح و FinFٍET سه بعدی را مشاهده نمایید.
      تکنولوژی FinFET و رکورد 100 میلیون ترانزیستور در هر میلی مترمربع برای اینتل


      با این حال که هر روز شرکت ها رقابت تنگاتنگی را برای افزایش میزان ترانزیستورها با همدیگر سپری میکنند International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) سازمان راهبردی فناوری برای نیمه رسانا ها اعلام کرده که سال 2025 پایانی بر عمر پردازنده های سیلیکونی خواهد بود و دیگر امکان افزایش میزان ترانزیستور ها بر روی پردازنده ها نخواهد بود ولی باز با این حال و با تکنولوژی جدید اینتل که بسیاری از معادلات را به هم زده است معلوم نیست که باز تا سال 2025 روش و تکنولوژی جدیدی کشف و این موضوع را نیز دست خوش تغییر نماید .در مقاله ای دیگر به تفصیل به تکنولوژی FinFET و تولید پردازنده های سه بعدی خواهیم پرداخت .

      نویسنده : علی قلعه بان - دانشجوی دکتری فناوری اطلاعات

      برچسب ها
      ردیفعنوان
      1بررسی تخصصی پردازنده های Core-i3,5,7 اینتل و راهنمای خرید
      2آیا واقعا امواج وای فای برای ما مضر است + داستان کاکتوس گذاشتن کنار روتر
      3بررسی فنی وتخصصی مضرات امواج موبایل بر بدن انسان + پشت پرده قوانین FCC
      4استخراج جزئی ترین اطلاعات و سریال های سخت افزاری سیستم توسط ابزار کاربردی WMIC
      5تکنولوژی FinFET و رکورد 100 میلیون ترانزیستور در هر میلی مترمربع برای اینتل
      6فعال کردن و ورود به محیط Safe Mode از داخل ویندوز بدون استفاده از F8
      7تشریح سخت افزاری سیم کارت ,نحوه کار ,استخراج و کپی اطلاعات و نحوه Cloning آن
      8تزریق هلیوم در داخل هارد دیسک و افزایش ظرفیت هارد دیسک
      9کدگذاری کامل هارد دیسک با ماژول امنیتی سخت افزاری Trusted Platform Module )TPM) + حفظ اطلاعات حتی درصورت کپی و یا سرقت فیزیکی هارد دیسک
      10تفاوت ساختاری و عملی SRAM و DRAM
      11آشنایی با تکنولوژی BPL و EOP برای انتقال اطلاعات از طریق خطوط برق
      دورهمجموعه کل دوره
      مطالب مرتبط

      در حال دریافت اطلاعات

      نظرات

      برای ارسال نظر ابتدا به سایت وارد شوید